Giessener Elektronische Bibliothek

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An insight into voltage-biased superconducting quantum interference devices

Liu, Chao ; Zhang, Yi ; Mück, Michael ; Krause, Hans-Joachim ; Braginski, Alex I. ; Xie, Xiaoming ; Offenhäusser, Andreas ; Jiang, Mianheng


Originalveröffentlichung: (2012) Applied Physics Letters 101(22):222602 doi:10.1063/1.4768698
Zum Volltext im pdf-Format: Dokument 1.pdf (900 KB)


Bitte beziehen Sie sich beim Zitieren dieses Dokumentes immer auf folgende
URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-98922
URL: http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2015/9892/

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Sammlung: Allianzlizenzen / Artikel
Universität Justus-Liebig-Universität Gießen
Institut: Institute of Applied Physics
Fachgebiet: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Aufsatz
Sprache: Englisch
Erstellungsjahr: 2012
Publikationsdatum: 17.07.2015
Kurzfassung auf Englisch: We experimentally studied two important parameters of helium-cooled superconducting quantum interference devices (SQUIDs) in the voltage bias mode: the dynamic resistance Rd and the flux-to-current transfer coefficient ?i/?phi, with different junction shunt resistors RJ. We investigated a voltage-biased SQUID using the direct readout current-to-voltage converter scheme involving an operational amplifier. At higher RJ, the flux-to-voltage conversion coefficient ?V/?phi becomes sufficiently large to effectively suppress the room-temperature amplifier´s noise without any need for additional feedback circuits. The McCumber parameter limits the rise of ?V/?phi. We discuss the performance of voltage-biased SQUIDs at different effective McCumber parameters.
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