Giessener Elektronische Bibliothek

GEB - Giessener Elektronische Bibliothek

The band alignment of Cu2O/ZnO and Cu2O/GaN heterostructures

Kramm, B. ; Laufer, A. ; Reppin, D. ; Kronenberger, A. ; Hering, P. ; Polity, A. ; Meyer, B. K.


Originalveröffentlichung: (2012) Applied Physics Letters 100(9):094102 doi:10.1063/1.3685719
Zum Volltext im pdf-Format: Dokument 1.pdf (748 KB)


Bitte beziehen Sie sich beim Zitieren dieses Dokumentes immer auf folgende
URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-98899
URL: http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2015/9889/

Bookmark bei Connotea Bookmark bei del.icio.us


Sammlung: Allianzlizenzen / Artikel
Universität Justus-Liebig-Universität Gießen
Institut: 1. Physikalisches Institut
Fachgebiet: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Aufsatz
Sprache: Englisch
Erstellungsjahr: 2012
Publikationsdatum: 17.07.2015
Kurzfassung auf Englisch: Using photoelectron spectroscopy, we investigate the band alignments of the Cu2O/ZnO heterointerface and compare the findings with the corresponding values for Cu2O/GaN. While for Cu2O/ZnO, we find a valence band offset (VBO) of 2.17 eV and a conduction band offset (CBO) of 0.97 eV, both values are considerably reduced for Cu2O/GaN where the numbers are 1.47 eV (VBO) and 0.24 eV (CBO), respectively. The large CBO between ZnO and Cu2O will very likely result in low photovoltaic power conversion efficiencies as is the current status of Cu2O/ZnO solar cells.
Lizenz: Allianzlizenz