Giessener Elektronische Bibliothek

GEB - Giessener Elektronische Bibliothek

Nitrogen and vacancy clusters in ZnO

Tuomisto, Filip ; Rauch, Christian ; Wagner, Markus R. ; Hoffmann, Axel ; Eisermann, Sebastian ; Meyer, Bruno K. ; Kilanski, Lukasz ; Tarun, Marianne C. ; McCluskey, Matthew D.


Originalveröffentlichung: (2013) Journal of Materials Research 28(15): 1977-1983, doi: 10.1557/jmr.2013.195
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Bitte beziehen Sie sich beim Zitieren dieses Dokumentes immer auf folgende
URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-113420
URL: http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2015/11342/

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Sammlung: Allianzlizenzen / Artikel
Universität Justus-Liebig-Universität Gießen
Institut: I. Physikalisches Institut
Fachgebiet: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Aufsatz
Sprache: Englisch
Erstellungsjahr: 2013
Publikationsdatum: 23.02.2015
Kurzfassung auf Englisch: Understanding the interaction of group V impurities with intrinsic defects in ZnO is important for developing p-type material. We have studied N-doped ZnO thin films and N-doped bulk ZnO crystals, with positron annihilation spectroscopy, in contrast to earlier studies that have concentrated on N-implanted ZnO crystals. We show that the introduction of N impurities into ZnO, irrespective of whether it is done during the growth of thin films or bulk crystals or through implantation and subsequent thermal treatments, leads to the formation of stable vacancy clusters and negative ion-type defects. Interestingly, the stability of these vacancy clusters is found almost exclusively for N introduction, whereas single Zn vacancy defects or easily removable vacancy clusters are more typically found for ZnO doped with other impurities.
Lizenz: Allianzlizenz