Giessener Elektronische Bibliothek

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Intra-excitonic relaxation dynamics in ZnO

Chernikov, Alexej ; Koch, Martin ; Laumer, Bernhard ; Wassner, Thomas A. ; Eickhoff, Martin ; Koch, Stephan W. ; Chatterjee, Sangam


Originalveröffentlichung: (2011) Applied Physics Letters, 2011, 99(23), Article 231910; doi:10.1063/1.3668102
Zum Volltext im pdf-Format: Dokument 1.pdf (423 KB)


Bitte beziehen Sie sich beim Zitieren dieses Dokumentes immer auf folgende
URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-86497
URL: http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2012/8649/

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Freie Schlagwörter (Englisch): intra-exitonic relaxation , bulk ZnO , exciton states
Sammlung: Allianzlizenzen / Artikel
Universität Justus-Liebig-Universität Gießen
Institut: 1. Physikalisches Institut
Fachgebiet: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Aufsatz
Sprache: Englisch
Erstellungsjahr: 2011
Publikationsdatum: 05.03.2012
Kurzfassung auf Englisch: The temperature and carrier-density dependent excitonic relaxation in bulk ZnO is studied by means of time-resolved photoluminescence. A rate-equation model is used to analyze the population dynamics and the transitions between different exciton states. Intra-excitonic (n=1) to (n=2) relaxation is clearly identified at low excitation densities and lattice temperatures with a characteristic time constant of 6±0.5 ps.
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