Giessener Elektronische Bibliothek

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Über die Herstellung von Gallium- und Aluminiumnitrid aus der Gasphase

Fischer, Stefan


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Bitte beziehen Sie sich beim Zitieren dieses Dokumentes immer auf folgende
URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-504
URL: http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/1999/50/

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Universität Justus-Liebig-Universität Gießen
Institut: I. Physikalisches Institut
Fachgebiet: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Dissertation
Sprache: Deutsch
Tag der mündlichen Prüfung: 29.01.1999
Erstellungsjahr: 1999
Publikationsdatum: 18.01.1999
Kurzfassung auf Deutsch: Ziel dieser Dissertation war die systematische Untersuchung des HTVPE-Wachstumsprozesses
zur Herstellung von GaN. Durch ihre hohen Wachstumsraten besitzt diese Methode ein
erhebliches Potential in Hinblick auf die Herstellung von GaN-Quasisubstraten. Die
Beschreibung der Wachstumsraten soll durch das Aufstellen eines Wachstumsmodelles
ermöglicht und anhand der umfangreichen experimentellen Daten verifiziert werden. Darüber
hinaus wurde die HTVPE erstmals zur Herstellung AlN eingesetzt. Die gewonnenen Daten
dienten zur Überprüfung des erarbeiteten Modells. Inwieweit sich die HTVPE zum Wachstum
von ternären Mischkristallen eignet wurde am Beispiel AlxGa1-xN untersucht.
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