Giessener Elektronische Bibliothek

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Homoepitaxie von ZnO

Homoepitaxial growth of ZnO

Neumann, Christian


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Bitte beziehen Sie sich beim Zitieren dieses Dokumentes immer auf folgende
URN: urn:nbn:de:hebis:26-opus-36754
URL: http://geb.uni-giessen.de/geb/volltexte/2006/3675/


Freie Schlagwörter (Deutsch): Epitaxie , Homoepitaxie , ZnO , CVD , Einkristall
Freie Schlagwörter (Englisch): epitaxy , homoepitaxy , ZnO , CVD
PACS - Klassifikation: 81.15.-z
Universität Justus-Liebig-UniversitĂ€t Gießen
Institut: I. Physikalisches Institut
Fachgebiet: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Dissertation
Sprache: Deutsch
Tag der mĂŒndlichen PrĂŒfung: 11.10.2006
Erstellungsjahr: 2006
Publikationsdatum: 16.10.2006
Kurzfassung auf Deutsch: Die Arbeit beschĂ€ftigt sich mit der homoepitaktischen Darstellung von ZnO-DĂŒnnschichten.

Die Arbeit beginnt mit einer theoretischen Betrachtung des Materialsystems und den daraus fĂŒr eine erfolgreiche Epitaxie zu ziehenden SchlĂŒssen.
Es wurde eine Temperbehandlung zur OberflĂ€chenmodifikation kommerziell erhĂ€ltlicher ZnO-Einkristallsubstrate erarbeitet, die fĂŒr eine erfolgreiche Epitaxie erforderlich ist.

Im Anschluß daran wird die Entwicklung eines CVD-Prozesses mit metallischer Zink-Vorstufe und Stickstoffdioxid als Sauerstoffvorstufe aufgezeigt.
Abschließend werden die physikalischen Eigenschaften der so dargestellten Epitaxieschichten aufgezeigt. Neben hervorragenden kristallinen und optischen Eigenschaften konnte so auch die AbhĂ€ngigkeit des Einbaus von Fremdatomen von der OberflĂ€chenpolaritĂ€t des epitaktischen Wachstums gezeigt werden.
Kurzfassung auf Englisch: This thesis deals with the homoepitaxial growth of ZnO epitaxial thin-films.
It starts with a theoretical consideration of this material system and shows how to establish a successful epitaxy.

Then, the thesis shows the development of a CVD process with metallic zinc precursor and nitrogen dioxide as oxygen precursor.
Finally, the physical properties of the realized epitaxial thin films are shown. Besides excellent crystalline and optical properties one finds the dependence of incorporation of atoms of the gaseous phase from the polarity of the ZnO growth polarity.
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